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三星将推出第三代HBM2E显存:单颗最大容量16GB
三星将推出第三代HBM2E显存:单颗最大容量16GB
来源:TGBUS原创作者:胖涛2020-02-05 07:02
日前,三星宣布推出名为Flashbolt的第三代HBM2(HBM2E)存储芯片,预计将在今年上半年开始量产。三星将继续提供第二代Aquabolt产品阵容,同时扩展其第三代Flashbolt产品。

日前,三星宣布推出名为Flashbolt的第三代HBM2(HBM2E)存储芯片,预计将在今年上半年开始量产。三星将继续提供第二代Aquabolt产品阵容,同时扩展其第三代Flashbolt产品。

三星将推出第三代HBM2E显存:单颗最大容量16GB

据悉,第三代HBM2存储芯片单颗最大容量16GB,由16Gb的单Die通过8层堆叠而成,可实现16GB的封装容量,并确保3.2Gbps的稳定数据传输速度。

三星方面表示,新型16GB HBM2E特别适用于高性能计算(HPC)系统,并可帮助系统制造商及时改进其超级计算机、AI驱动的数据分析和最新的图形系统。

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