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台积电7nm+大量供货:首个商用EUV极紫外光刻技术
台积电7nm+大量供货:首个商用EUV极紫外光刻技术
来源:TGBUS原创作者:白字2019-10-09
昨日消息,台积电宣布N7+ 7nm+工艺已经大批量供应给客户,这是该公司乃至全产业首个商用EUV极紫外光刻技术的工艺。EUV光刻采用波长为10-14nm的极紫外光作为光源,可使曝光波长直接降到13.5nm,研发,推动更先进工艺。

昨日消息,台积电宣布N7+ 7nm+工艺已经大批量供应给客户,这是该公司乃至全产业首个商用EUV极紫外光刻技术的工艺。EUV光刻采用波长为10-14nm的极紫外光作为光源,可使曝光波长直接降到13.5nm,研发,推动更先进工艺。

台积电7nm+大量供货:首个商用EUV极紫外光刻技术

EUV光刻技术早在20世纪80年代就已经研发出来,最初计划用于70nm工艺,但光刻机指标一直达不到需求,加之成本居高不下,芯片厂商不得不引入沉浸式光刻、双重乃至多重曝光来开发新工艺。

按照台积电的说法,他们的EUV光刻机已经可以在日常生产中稳定输出超过250W的功率,完全可以满足现在以及未来新工艺的需求。

三星7nm工艺也在引入EUV,不过进展相比台积电要落后很多。

台积电表示,7nm+的量产速度也是公司史上最快的之一,今年第二季度就已量产,并且在良品率上迅速达到了已经量产1年多的7nm工艺的水平。

7nm+相比于7nm在性能上可带来15-20%的晶体管密度提升,同时改进了功耗。

台积电7nm+工艺已经应用于多家客户的产品,但官方没有给出具体名单,目前唯一可完全确认的就是华为麒麟990 5G,AMD下一代Zen 3架构也一直标注为7nm+工艺。

接下来,台积电将继续奔向6nm、5nm、3nm、2nm,其中6nm(N6)相当于7nm的升级版,设计规则完全兼容,继续采用EUV技术,晶体管密度可比7nm提升18%,预计明年第一季度试产,明年底量产。


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