三星今日在一季度财报中确认，将于今年第二季度，也就是在7月开始之前投入5nm EUV的大规模量产工作。三星表示，借此，其将加强在EUV（极紫外光刻）技术领域的领导地位。同时，三星此次还预告，他们还将专注于3nm GAAFET(环绕栅级场效应晶体管)的开发，也就是放弃华人科学家胡正明教授的FinFET（鳍式场效应晶体管）。

据国外媒体报道，半导体行业光刻系统供应商ASML（阿斯麦）去年交付了26台极紫外光刻机（EUV），调查公司Omdia表示，其中约一半面向大客户台积电。ASML此前公布，2019年，共向客户交付了26台极紫外光刻机。其中，在第四季度交付了8台。 ASML还透露，去年交付的26台极紫外光刻机中，有9台是最新型号，即NXE:3400C。

当前在芯片制造中最先进的EUV（极紫外光刻）工艺被三星率先用到了DRAM内存颗粒的生产中。这家韩国巨头今日宣布，已经出货100万第一代10nm EUV级（D1x）DDR4 DRAM模组，并完成全球客户评估，这为今后高端PC、手机、企业级服务器等应用领域开启新大门。