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当前在芯片制造中最先进的EUV(极紫外光刻)工艺被三星率先用到了DRAM内存颗粒的生产中。这家韩国巨头今日宣布,已经出货100万第一代10nm EUV级(D1x)DDR4 DRAM模组,并完成全球客户评估,这为今后高端PC、手机、企业级服务器等应用领域开启新大门。
此前台积电曾推出过CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)封装技术,将逻辑芯片和DRAM 放在硅中介层(interposer)上,然后封装在基板上。这是一种2.5D/3D封装工艺,可以让芯片尺寸更小,同时拥有更高的I/O带宽。不过由于成本较普通封装高了数倍,目前采用的客户并不多。