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三星研发8nm工艺的LPDDR5内存 速率升至7.3Gbps
三星研发8nm工艺的LPDDR5内存 速率升至7.3Gbps
来源:TGBUS原创作者:胖涛2019-06-14
作为全球内存芯片厂商之一,三星在VLSI 2019大会上公布了基于8nm工艺的LPDDR5 Phy物理层芯片,一举将速率提升到了7.3Gbps,而且功耗只有790mW。

作为全球内存芯片厂商之一,三星在VLSI 2019大会上公布了基于8nm工艺的LPDDR5 Phy物理层芯片,一举将速率提升到了7.3Gbps,而且功耗只有790mW。除此之外,三星还在继续提升LPDDR4X内存的速率,目前LPDDR4X-4266Mbps内存已经有了,三星的目标是5Gbps的LPDDR4X内存。

三星研发8nm工艺的LPDDR5内存 速率升至7.3Gbps

去年7月,三星就宣布成功开发出业内首款LPDDR5-6400内存芯片,基于10nm级工艺,单颗容量8Gb(1GB)。而在去年10月的在港举办的高通4G/5G峰会上,三星人士透露,LPDDR5内存计划2020年商用。

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